基于硅纳米线的PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池结构优化及实验研究
硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)越长,光学性能越好,但这会使太阳电池的电学性能损失越来越大。采用模拟和实验的方法,对PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的SiNWs进行优化,重点研究了SiNWs长度造成的表面复合速率和串联电阻对太阳电池性能的影响。结果表明,随着SiNWs长度的增加,表面复合主要影响开路电压,对太阳电池的性能影响较大;串联电阻主要影响填充因子,对太阳电池的性能影响较小。实验证明,当SiNWs长度为246 nm左右时,PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的转换效率最高,为12.88%。研究结果可为含SiNWs的硅基太阳电池的设计提供指导。